磁控濺射鍍膜設備原理

磁控濺射：

磁控濺射系統在靶材的背后放置磁鐵，電子在加速飛向基片的過程中，受到垂直于電場的磁場影響，使電子產生偏轉，被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，電子以擺線的方式沿著靶表面前進，在運動過程中不斷與Ar原子發生碰撞，電離出大量的Ar+離子，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，終落在基片、真空室內壁及靶源陽極上。

濺射鍍膜：

這(zhe)部分應是(shi)(shi)生(sheng)產線的(de)(de)(de)主體(ti)， 而(er)且是(shi)(shi)處在(zai)真空狀(zhuang)態(tai)(tai)下的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)系統， 是(shi)(shi)由不(bu)銹鋼(gang)或碳鋼(gang)做成的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)個(ge)獨立的(de)(de)(de)室(shi)體(ti)連接(jie)組成。它的(de)(de)(de)兩端為(wei)(wei)(wei)了反復地使清洗過的(de)(de)(de)玻璃基(ji)片進入和讓鍍(du)制好的(de)(de)(de)基(ji)片輸出， 而(er)處在(zai)一(yi)(yi)個(ge)特殊的(de)(de)(de)狀(zhuang)態(tai)(tai)， 稱(cheng)為(wei)(wei)(wei)真空鎖室(shi)。在(zai)前(qian)后過渡室(shi)之間的(de)(de)(de)部分稱(cheng)為(wei)(wei)(wei)鍍(du)膜室(shi)或濺射(she)室(shi)。每(mei)個(ge)鍍(du)膜室(shi)是(shi)(shi)一(yi)(yi)個(ge)獨立的(de)(de)(de)沉積區域。濺射(she)室(shi)的(de)(de)(de)數量亦或濺射(she)靶(ba)的(de)(de)(de)數量， 包括選用的(de)(de)(de)靶(ba)材， 取決于生(sheng)產線開發膜系的(de)(de)(de)能(neng)力(li)和產量。

后處理(li)：

鍍制好的基片從真空室(shi)內輸(shu)送(song)到(dao)大氣中后， 一(yi)般還要(yao)經過清洗及(ji)檢(jian)測。清洗的要(yao)求沒有(you)(you)(you)前處理(li)那么(me)嚴格。目(mu)的是(shi)使膜層(ceng)的缺陷更容易暴(bao)露出來， 以(yi)(yi)便在(zai)后續的檢(jian)測中被發(fa)現。簡單(dan)的檢(jian)測就是(shi)目(mu)測， 為便于觀(guan)察， 基片的底部(bu)分布有(you)(you)(you)光源， 可(ke)以(yi)(yi)發(fa)現針孔的存在(zai)和(he)數(shu)(shu)量， 有(you)(you)(you)無放(fang)電的痕跡。出線端(duan)的透(tou)過率檢(jian)測儀(yi)可(ke)以(yi)(yi)指出膜層(ceng)終的透(tou)過率。也可(ke)以(yi)(yi)在(zai)基片范圍內布置多(duo)道探頭(tou)， 采集數(shu)(shu)據由計(ji)算機處理(li)來評估膜層(ceng)的縱向(xiang)和(he)橫向(xiang)的均勻性及(ji)有(you)(you)(you)無異常。對(dui)于特殊用途的光學薄(bo)膜出線后即進入(ru)凈化室(shi)， 覆上一(yi)層(ceng)保護用的帶膠(jiao)薄(bo)膜后存放(fang)。

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