設備用途

JGP-450型單室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

◆設(she)備組成

系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。磁力送樣機構、 工作氣路、 抽氣系統、 安裝機臺、 真空測量及電控系統等部分組成。

◆技術指標

極限真空度：≤6.6×10-5 Pa (經烘烤除氣后)；

系(xi)統真空(kong)檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；

系(xi)統短時間(jian)暴露大氣(qi)并充(chong)干(gan)燥氮氣(qi)后，再開始抽氣(qi)，40分鐘可達到8.0×10-4 Pa；

停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa；

磁控濺射設備(bei)性能舉例(li)：

1.用直流電源磁控沉(chen)積(ji)金屬(shu)Cu膜(mo)，可(ke)以制備出沉(chen)積(ji)速度40nm/min的膜(mo)層；同時小(xiao)樣品(pin)的膜(mo)厚均勻性可(ke)以達到3％；可(ke)以在硬(ying)質和柔性沉(chen)底生長(chang)膜(mo)層；常溫也可(ke)以沉(chen)積(ji)Cu膜(mo)，不脫落，但是結合力不好；

2.用(yong)射(she)頻電源磁(ci)控沉(chen)積氧化硅和氧化鋁(lv)膜層(ceng)（等(deng)各(ge)頭氧化物薄膜），可以制備出沉(chen)積速度(du)3—5nm/min的膜層(ceng)；小樣品膜層(ceng)厚(hou)度(du)均(jun)勻性可以達到3％；膜層(ceng)的介電性能較好；

系統主要由濺射真空(kong)室、磁(ci)控(kong)濺射靶、基(ji)片加熱公自轉臺、工作氣路(lu)、抽氣系統、安裝機臺、真空(kong)測量及電控(kong)系統等部分(fen)組成。