磁控濺射的鍍膜原理

磁控濺射鍍膜技術分很多種，有直流磁控濺射，中頻磁控濺射，射頻磁控濺射，鍍的基材和膜層不一樣，才用的原理不一樣，選擇的技術有區別。

采用(yong)中頻濺射的優點(dian)是(shi)可(ke)(ke)得到(dao)光滑致(zhi)密、膜層硬度高(gao)、膜厚(hou)可(ke)(ke)線(xian)性(xing)長、溫升(sheng)緩和(he)的產(chan)品。但要(yao)求較(jiao)高(gao)，工(gong)作壓(ya)強范(fan)圍(wei)很窄，各種控制要(yao)求快速準確。 多弧濺射在(zai)靶材上施小電(dian)壓(ya)大電(dian)流(liu)使材料離子化，從而(er)高(gao)速擊(ji)向基片(pian)并沉積(ji)，形成(cheng)致(zhi)密膜堅硬膜。主要(yao)用(yong)于耐磨耐蝕(shi)(shi)膜。其缺(que)點(dian)是(shi)正負電(dian)撞造成(cheng)膜層不均勻，空穴、燒蝕(shi)(shi)。 

中頻濺(jian)射(she)(she)的(de)(de)原理跟一般的(de)(de)直流濺(jian)射(she)(she)是(shi)相同(tong)的(de)(de)，不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)是(shi)直流濺(jian)射(she)(she)把筒體(ti)當陽極，而中頻濺(jian)射(she)(she)是(shi)成對(dui)的(de)(de)，筒體(ti)是(shi)否參(can)加(jia)須視整(zheng)(zheng)體(ti)設計而定，與整(zheng)(zheng)個系(xi)統濺(jian)射(she)(she)過程中，陽極陰極的(de)(de)安排有(you)關，參(can)與的(de)(de)比(bi)率(lv)周(zhou)期有(you)很多方(fang)法，不(bu)(bu)同(tong)的(de)(de)方(fang)法可得(de)到不(bu)(bu)相同(tong)的(de)(de)濺(jian)射(she)(she)產額，得(de)到不(bu)(bu)相同(tong)的(de)(de)離子(zi)密度。 

中頻濺射(she)主要(yao)(yao)技術在于電源的(de)設計與應(ying)用，目前(qian)較成熟的(de)是(shi)正弦(xian)波與脈沖(chong)方(fang)波二(er)種方(fang)式輸(shu)出(chu)，各有其優(you)缺點(dian)，首先應(ying)考慮(lv)膜(mo)層(ceng)種類，分析哪(na)種電源輸(shu)出(chu)方(fang)式適合哪(na)種膜(mo)層(ceng)，可(ke)以用電源特性來得到(dao)想要(yao)(yao)的(de)膜(mo)層(ceng)效果。 

磁控濺射中氬離(li)子(zi)沖擊(ji)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)使(shi)靶(ba)材(cai)(cai)(cai)原子(zi)和(he)分子(zi)碎片沉(chen)積在(zai)零件，靶(ba)材(cai)(cai)(cai)材(cai)(cai)(cai)料動能(neng)可達數(shu)百(bai)甚(shen)至上千電子(zi)伏特能(neng)量。是(shi)中性(xing)的(de)納米(mi)級鍍(du)膜。陰極(ji)弧起(qi)弧后(hou)一方(fang)面(mian)靶(ba)面(mian)高溫(wen)將材(cai)(cai)(cai)料冶金融化(hua)，強大電場然后(hou)將融化(hua)材(cai)(cai)(cai)料幾(ji)乎完全(quan)離(li)子(zi)化(hua)，在(zai)靶(ba)電源和(he)零件偏壓綜合(he)作用下(xia)成膜。

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