磁控濺射包含許多種類。各有不同工作原理和使用對象。但有總共同點：使用磁場與電場交互作用，使電子在靶外表鄰近成螺旋狀運轉，然后電子碰擊氬氣發生離子的概率。所發生的離子在電場作用下撞向靶面然后濺射出靶材。

磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)濺(jian)射靶(ba)(ba)(ba)(ba)源(yuan)分平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)式(shi)和(he)(he)非(fei)(fei)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)式(shi)，平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)式(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源(yuan)鍍膜(mo)(mo)均勻，非(fei)(fei)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)式(shi)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源(yuan)鍍膜(mo)(mo)膜(mo)(mo)層和(he)(he)基體結(jie)合(he)力強。平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)靶(ba)(ba)(ba)(ba)源(yuan)多用(yong)于半導體光學膜(mo)(mo)，非(fei)(fei)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)多用(yong)于磨損裝(zhuang)飾膜(mo)(mo)。磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)陰(yin)按照磁(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)(chang)位形散布不(bu)同(tong)，大(da)(da)致可(ke)分為平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)態磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)陰(yin)和(he)(he)非(fei)(fei)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)態磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)陰(yin)。平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)態磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)陰(yin)內(nei)外磁(ci)(ci)(ci)(ci)鋼的磁(ci)(ci)(ci)(ci)通量大(da)(da)致相(xiang)等，兩(liang)(liang)磁(ci)(ci)(ci)(ci)力線(xian)(xian)(xian)閉(bi)合(he)于靶(ba)(ba)(ba)(ba)面，很好地將電子(zi)(zi)(zi)/等離(li)子(zi)(zi)(zi)體束縛在(zai)(zai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)面鄰近(jin)，增加了磕碰幾(ji)率，提高了離(li)化效率，因而在(zai)(zai)較低的工作氣(qi)壓和(he)(he)電壓下就能起輝(hui)(hui)并(bing)保持輝(hui)(hui)光放電，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材使(shi)(shi)用(yong)率相(xiang)對較高。但(dan)由于電子(zi)(zi)(zi)沿磁(ci)(ci)(ci)(ci)力線(xian)(xian)(xian)運動主要閉(bi)合(he)于靶(ba)(ba)(ba)(ba)面，基片(pian)(pian)區域(yu)所受離(li)子(zi)(zi)(zi)轟擊較小。非(fei)(fei)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)濺(jian)射技能，即讓磁(ci)(ci)(ci)(ci)控(kong)陰(yin)外磁(ci)(ci)(ci)(ci)磁(ci)(ci)(ci)(ci)通大(da)(da)于內(nei)磁(ci)(ci)(ci)(ci)，兩(liang)(liang)磁(ci)(ci)(ci)(ci)力線(xian)(xian)(xian)在(zai)(zai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)面不(bu)完全閉(bi)合(he)，部分磁(ci)(ci)(ci)(ci)力線(xian)(xian)(xian)可(ke)沿靶(ba)(ba)(ba)(ba)的邊(bian)際(ji)延伸到基片(pian)(pian)區域(yu)，然后部分電子(zi)(zi)(zi)可(ke)以沿著磁(ci)(ci)(ci)(ci)力線(xian)(xian)(xian)擴展(zhan)到基片(pian)(pian)，增加基片(pian)(pian)區域(yu)的等離(li)子(zi)(zi)(zi)體密度和(he)(he)氣(qi)體電離(li)率。不(bu)論(lun)平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)還對錯平(ping)(ping)(ping)衡(heng)(heng)(heng)，若(ruo)磁(ci)(ci)(ci)(ci)鐵停止，其磁(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)(chang)特性決定了一般靶(ba)(ba)(ba)(ba)材使(shi)(shi)用(yong)率小于30。為增靶(ba)(ba)(ba)(ba)材使(shi)(shi)用(yong)率，可(ke)選用(yong)旋(xuan)轉(zhuan)(zhuan)磁(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)(chang)。但(dan)旋(xuan)轉(zhuan)(zhuan)磁(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)(chang)(chang)需要旋(xuan)轉(zhuan)(zhuan)機構(gou)，一起濺(jian)射速率要減小。

旋轉磁場(chang)多用(yong)于(yu)大(da)型或貴重(zhong)靶，如半(ban)導(dao)體膜濺射(she)。關于(yu)小(xiao)型設備和一般工業設備，多用(yong)磁場(chang)停止靶源。

用(yong)(yong)磁(ci)控(kong)靶(ba)源(yuan)濺射(she)金屬和(he)(he)合金很(hen)(hen)簡單，焚燒和(he)(he)濺射(she)很(hen)(hen)方便(bian)。這是由(you)于靶(ba)（陰(yin)），等離(li)子體(ti)和(he)(he)被濺零件/真空腔體(ti)可形成(cheng)回路(lu)。但若濺射(she)絕緣體(ti)（如陶瓷），則回路(lu)斷了(le)。于是人們選用(yong)(yong)高頻(pin)電(dian)(dian)源(yuan)，回路(lu)中加(jia)入很(hen)(hen)強的電(dian)(dian)容(rong)，這樣在(zai)絕緣回路(lu)中靶(ba)材(cai)成(cheng)了(le)一(yi)個(ge)電(dian)(dian)容(rong)。但高頻(pin)磁(ci)控(kong)濺射(she)電(dian)(dian)源(yuan)貴重(zhong)，濺射(she)速率很(hen)(hen)小，一(yi)起(qi)接地(di)技(ji)能很(hen)(hen)雜亂(luan)，因(yin)而難大規(gui)模選用(yong)(yong)。為處理此(ci)問題，創造晰磁(ci)控(kong)反(fan)應(ying)濺射(she)。便(bian)是用(yong)(yong)金屬靶(ba)，加(jia)入氬氣和(he)(he)反(fan)應(ying)氣體(ti)如氮氣或氧氣。當金屬靶(ba)材(cai)撞向零件時由(you)于能量轉化，與反(fan)應(ying)氣體(ti)化合生成(cheng)氮化物(wu)或氧化物(wu)。

磁控(kong)反應(ying)濺射(she)絕緣體看似(si)簡單，而實(shi)際操作困難。主要問(wen)題(ti)(ti)是反應(ying)不(bu)但發生(sheng)在零(ling)件外(wai)表(biao)(biao)(biao)，也發生(sheng)在陽(yang)，真空腔體外(wai)表(biao)(biao)(biao)以及靶源(yuan)外(wai)表(biao)(biao)(biao)，然后引起救(jiu)活，靶源(yuan)和工件外(wai)表(biao)(biao)(biao)起弧等。德國萊寶(bao)創造的(de)孿生(sheng)靶源(yuan)技(ji)能(neng)，很(hen)好的(de)處理了(le)這個(ge)問(wen)題(ti)(ti)。其原(yuan)理是一對靶源(yuan)互相(xiang)為陰陽(yang)，然后消除陽(yang)外(wai)表(biao)(biao)(biao)氧化(hua)或氮化(hua)。

冷(leng)卻(que)是一(yi)切源（磁控(kong)，多弧，離(li)子(zi)）所需，由于能量很大(da)一(yi)部分(fen)轉為熱量，若無冷(leng)卻(que)或冷(leng)卻(que)缺乏(fa)，這種熱量將(jiang)使靶源溫(wen)度(du)達一(yi)千度(du)以上然后溶化(hua)整個靶源。

文章內容來源于網絡，如有問題請和我聯(lian)系刪(shan)除！