濺鍍，通常指的是磁控濺鍍,屬于高速低溫濺鍍法。該工藝使用磁控濺射鍍膜系統要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空狀態充入惰性氣體氬氣(Ar)，并在塑膠基材（陽極）和金屬靶材（陰極）之間加上高壓直流電，由于輝光放電(glow discharge)產生的電子激發惰性氣體，產生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，沉積在塑膠基材上。

原理

以幾(ji)十電子(zi)(zi)伏特或更高動能(neng)的荷電粒(li)子(zi)(zi)轟擊材料表面，使其(qi)濺射(she)出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜(mo)。入射(she)一(yi)個離子(zi)(zi)所(suo)濺射(she)出的原(yuan)子(zi)(zi)個數稱為濺射(she)產(chan)額(Yield)產(chan)額越高濺射(she)速(su)度越快，以Cu,Au,Ag等(deng)*高，Ti,Mo,Ta,W等(deng)*低。一(yi)般在0.1-10原(yuan)子(zi)(zi)/離子(zi)(zi)。

離(li)子可以直流輝光(guang)放電(dian)(glow discharge)產生(sheng)，在10-1—10 Pa真空度，在兩(liang)極間加(jia)高(gao)壓產生(sheng)放電(dian)，正離(li)子會轟擊負(fu)電(dian)之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物(wu)上。

正常輝光放電(dian)(glow discharge)的電(dian)流密度(du)與(yu)陰極(ji)物質與(yu)形狀、氣體種類(lei)壓(ya)力(li)等有關(guan)。濺鍍時應(ying)盡可能維(wei)持其穩定。

任何材料皆可濺射鍍膜，即使高熔點材料也容易濺鍍，但對非導體靶材須以射頻（RF）或脈沖（pulse）濺射；且因導電性較差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2,非金屬＜5W/cm2。

二極濺鍍射：

靶材(cai)為陰極(ji)，被(bei)鍍(du)(du)工(gong)件及(ji)工(gong)件架為陽極(ji)，氣(qi)(qi)體（氬氣(qi)(qi)Ar）壓力約幾Pa或更(geng)高(gao)(gao)方可得(de)較(jiao)高(gao)(gao)鍍(du)(du)率。

磁控濺射：

在陰極靶表面形成一(yi)正交電磁場，在此(ci)區電子密(mi)度(du)(du)高(gao)，進(jin)而提高(gao)離子密(mi)度(du)(du)，使得濺鍍(du)率(lv)提高(gao)(一(yi)個數量(liang)級)，濺射(she)速度(du)(du)可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍(du)佳，是目前*實用的鍍(du)膜技術之一(yi)。

其它有偏壓濺射、反應濺射、離子束濺射等鍍膜技術

濺(jian)(jian)鍍(du)機設(she)備與工藝（磁(ci)控濺(jian)(jian)鍍(du)）

濺鍍機由真空室，排氣系(xi)統，濺射(she)源和(he)控制系(xi)統組成。濺射(she)源又(you)分為電源和(he)濺射(she)槍（sputter gun）

磁控濺射槍分為(wei)平面型(xing)和(he)圓柱(zhu)型(xing)，其(qi)中平面型(xing)分為(wei)矩型(xing)和(he)圓型(xing)，靶材料(liao)利用率30- 40%，圓柱(zhu)型(xing)靶材料(liao)利用率>50%

濺(jian)射電源分為(wei)：直流（DC）、射頻（RF）、脈沖(chong)（pulse），

直流(liu)：800-1000V（Max）導體用，須(xu)可災弧。

射頻：13.56MHZ，非導體用。

脈沖：泛用，*新發展出

濺(jian)(jian)鍍(du)時須控(kong)制參數有(you)濺(jian)(jian)射電流(liu)，電壓(ya)或功率，以(yi)及濺(jian)(jian)鍍(du)壓(ya)力(li)（5×10-1—1.0Pa）,若各參數皆穩定，膜(mo)厚可以(yi)鍍(du)膜(mo)時間估計出來。

靶材的選擇與處理十分重要，純度要佳(jia)，質地均勻(yun)，沒有氣泡、缺陷，表面(mian)應平(ping)整光潔。

對于直接冷卻靶(ba)(ba)，須注意(yi)其在(zai)濺射后靶(ba)(ba)材變(bian)薄(bo)，有(you)可(ke)能(neng)破裂特別是(shi)非金屬靶(ba)(ba)。一(yi)般靶(ba)(ba)材*薄(bo)處不可(ke)小(xiao)于原靶(ba)(ba)厚(hou)之一(yi)半(ban)或5mm。

磁(ci)控濺鍍(du)操作(zuo)方式和一般(ban)蒸鍍(du)相似，先將真空抽至1×10-2Pa，再通(tong)入氬氣(Ar)離子轟擊(ji)靶材，在5×10-1—1.0Pa的壓(ya)(ya)力下(xia)進行濺鍍(du)其間須注意(yi)電流、電壓(ya)(ya)及壓(ya)(ya)力。開始時濺鍍(du)若有打火，可緩慢調升電壓(ya)(ya)，待穩定放電后再關shutter.

在(zai)這個(ge)(ge)過程中，離子化的(de)(de)惰(duo)性(xing)氣體(Ar)清洗和(he)暴露(lu)該塑膠(jiao)基材表面上數個(ge)(ge)毛細微空(kong)(kong)，并(bing)通過該電子與自(zi)塑膠(jiao)基材表面被清潔(jie)而產生一自(zi)由基，并(bing)維持(chi)真空(kong)(kong)狀態下 施以濺鍍形成(cheng)表面締結(jie)構(gou)，使(shi)表面締結(jie)構(gou)與自(zi)由基產生填(tian)補和(he)高附(fu)著性(xing)的(de)(de)化學性(xing)和(he)物理性(xing)的(de)(de)結(jie)合狀態，以在(zai)表面外穩固地形成(cheng)薄膜.

其中，薄膜是(shi)先通過(guo)把表面締造物(wu)大致(zhi)地填滿該塑(su)膠毛(mao)細微(wei)孔后并作鏈接(jie)而形(xing)(xing)成。濺鍍(du)與常用的(de)蒸(zheng)(zheng)發鍍(du)相比，濺鍍(du)具(ju)有電鍍(du)層(ceng)與基材(cai)(cai)(cai)的(de)結(jie)合(he)力(li)強-附著(zhu)力(li)比蒸(zheng)(zheng)發鍍(du)高過(guo)10倍以(yi)上(shang)，電鍍(du)層(ceng)致(zhi)密(mi)，均勻等優(you)點。真空(kong)蒸(zheng)(zheng)鍍(du)需要(yao)使金屬(shu)或金屬(shu)氧(yang)化物(wu)蒸(zheng)(zheng)發汽化，而加熱(re)的(de)溫度不能太高，否(fou)則，金屬(shu)氣體沉積在(zai)塑(su)膠基材(cai)(cai)(cai)放熱(re)而燒壞塑(su)膠基材(cai)(cai)(cai)。濺射粒子(zi)幾不受(shou)重力(li)影響(xiang)，靶材(cai)(cai)(cai)與基板位置可(ke)(ke)自由安排,薄膜形(xing)(xing)成初期成核密(mi)度高，可(ke)(ke)生(sheng)產10nm以(yi)下(xia)的(de)極薄連續(xu)膜,靶材(cai)(cai)(cai)的(de)壽(shou)命長(chang)，可(ke)(ke)長(chang)時(shi)間(jian)自動化連續(xu)生(sheng)產。靶材(cai)(cai)(cai)可(ke)(ke)制作成各種形(xing)(xing)狀(zhuang)，配合(he)機臺(tai)的(de)特殊設計(ji)做更(geng)好的(de)控(kong)制及(ji)*有效率的(de)生(sheng)產。

濺(jian)鍍(du)(du)(du)利用高壓電場做發生(sheng)等離子鍍(du)(du)(du)膜物(wu)質，使用幾乎所有高熔(rong)點金屬(shu)，合金和金屬(shu)氧化物(wu)，如：鉻，鉬，鎢，鈦，銀，金等。而且，它是一個強(qiang)制沉(chen)積的過程，采用這(zhe)種工(gong)(gong)藝獲得的電鍍(du)(du)(du)層(ceng)與塑(su)膠基材附著力遠遠高于真(zhen)空(kong)蒸鍍(du)(du)(du)法(fa)。但，加(jia)工(gong)(gong)成本相(xiang)對較高。