磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。上世紀70年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

磁控濺射系統的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。

隨著碰撞次(ci)數(shu)的增加(jia)，二次(ci)電(dian)(dian)子(zi)的能(neng)量(liang)(liang)消耗殆(dai)盡，逐漸遠離(li)靶(ba)表面，并(bing)在電(dian)(dian)場(chang)E的作用下最終沉積在基(ji)片(pian)(pian)(pian)上。由于(yu)該(gai)電(dian)(dian)子(zi)的能(neng)量(liang)(liang)很低(di)，傳遞給基(ji)片(pian)(pian)(pian)的能(neng)量(liang)(liang)很小(xiao)，致使基(ji)片(pian)(pian)(pian)溫(wen)升較(jiao)低(di)。

磁控(kong)濺射是入射粒(li)子和靶(ba)(ba)(ba)(ba)的(de)碰(peng)撞(zhuang)過程(cheng)。入射粒(li)子在(zai)靶(ba)(ba)(ba)(ba)中(zhong)經歷(li)復雜的(de)散射過程(cheng)，和靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)子碰(peng)撞(zhuang)，把(ba)部分動量傳(chuan)給靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)子，此靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)子又和其(qi)他靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)子碰(peng)撞(zhuang)，形成級聯過程(cheng)。在(zai)這(zhe)種級聯過程(cheng)中(zhong)某些表面(mian)附(fu)近的(de)靶(ba)(ba)(ba)(ba)原(yuan)子獲得(de)向(xiang)外運動的(de)足(zu)夠動量，離開靶(ba)(ba)(ba)(ba)被濺射出來。