什么是濺射鍍膜？

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子) 沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷地與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。

磁(ci)場(chang)(chang)與電場(chang)(chang)的(de)交(jiao)互(hu)作用(yong)使單個(ge)電子(zi)軌跡呈三維(wei)螺旋(xuan)狀(zhuang)，而不(bu)是(shi)僅僅在靶面圓(yuan)周運動。至于靶面圓(yuan)周形的(de)濺射(she)輪廓，那是(shi)因為靶源磁(ci)場(chang)(chang)磁(ci)力(li)線呈圓(yuan)周形狀(zhuang)。磁(ci)力(li)線分布方向不(bu)同會對成膜有很大關系(xi)。在交(jiao)互(hu)作用(yong)機理下(xia)工(gong)(gong)作的(de)不(bu)僅是(shi)磁(ci)控濺射(she)，多弧鍍(du)靶源、離子(zi)源等都在此原理下(xia)工(gong)(gong)作，所不(bu)同的(de)是(shi)電場(chang)(chang)方向，電壓電流(liu)大小而已。

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